Grabado químico seco (I)

El grabado con productos químicos secos es un campo de interés y aplicación crecientes por su capacidad de controlar mejor el proceso de grabado y reducir los niveles de contaminación. El procesamiento químico en seco consigue el ataque eficaz de las capas deseadas mediante el empleo de gases químicamente reac- tivos o mediante bombardeo físico.
Se han desarrollado sistemas de grabado con plasma químicamente reactivo que consiguen un grabado eficaz en silicio, dióxido de silicio, nitruro de silicio, aluminio, tántalo, compuestos de tántalo, cromo, wolframio, oro y vidrio. Se utilizan dos sistemas de reactor para el grabado con plasma —el de barril, o cilíndrico, y el de placa en paralelo, o planar.
Ambos se basan en los mismos principios y sólo se diferencian en la configuración.
Un plasma es similar a un gas, salvo en que algunos de los átomos o moléculas del plasma están ionizados y pueden contener un número notable de radicales libres. El reactor típico consta de una cámara de vacío que contiene la oblea y que suele ser de aluminio, vidrio o cuarzo; de una fuente de energía de radiofrecuencia (RF)—por lo común de 450 kHz, 13,56 MHz ó 40,5 MHz y de un módulo de control que regula el tiempo del proceso, la composición del gas reactivo, el caudal de gas y el nivel de potencia de la RF. Además, en serie con la cámara del reactor se encuentra una fuente de vacío constituida por una bomba preliminar lubricada con aceite (tecnología antigua) o sin lubricación (última tecnología). Las obleas se cargan en el reactor, sueltas o en cassettes, una bomba evacua la cámara