Alineación de máscara y exposición (II)

Las longitudes de onda predominantes de luz UV que ahora se utilizan en fotoenmascaramiento son de 365 nm o más, pero los espectros de lámparas UV también contienen una energía significativa en la región de longitudes de onda que puede afectar a la salud, que es la región actínica por debajo de
315 nm. Lo normal es que la intensidad de la radiación UV que escapa del equipo sea inferior a la procedente de la luz solar en la región actínica y también a las normas establecidas para la exposición profesional al espectro UV.
Durante el mantenimiento, la alineación de la lámpara UV exige en ocasiones encenderla fuera de la cabina del equipo o sin los filtros protectores normales. Los niveles de exposición durante esta operación pueden rebasar los límites de exposición profesionales, pero la ropa normal utilizada en salas limpias (p. ej., delantales, guantes de vinilo, máscaras faciales y gafas de seguridad de policarbonato con inhibidor de UV) suele ser adecuada para atenuar la luz UV hasta niveles inferiores a los límites de exposición (Baldwin y Stewart 1989).
Mientras que las longitudes de onda predominantes de las lámparas ultravioletas utilizadas en fotolitografía son de 365 nm o mayores, la búsqueda de características más pequeñas en los CI avanzados conduce al empleo de fuentes de exposición con longitudes de onda menores, como radiación UV lejana y rayos X. Una nueva tecnología a este efecto es el uso de láseres de fluoruro de criptón utilizados en los procesadores paso a paso. Estos procesadores emplean una longitud de onda de 248 nm con salidas de láser de gran potencia. Pero las cabinas de estos sistemas encierran el haz durante el funcionamiento normal. Como ocurre con otros equipos que contienen sistemas láser de gran potencia utilizados en la fabricación de semiconduc- tores, la preocupación principal deriva de la necesidad de inac- tivar los bloqueos internos del sistema durante la alineación del haz. Los láseres de gran potencia son también uno de los peli- gros eléctricos más importantes en el sector de semiconductores. Incluso después de apagado, en este instrumento persiste una posibilidad de descarga considerable. Escher, Weathers y Labon- ville (1993) han publicado consideraciones sobre el diseño de controles y seguridad para estos sistemas.
Una fuente de exposición de tecnología avanzada utilizada en litografía son los rayos X. Los niveles de emisión de las fuentes de rayos X para litografía pueden dar lugar a tasas de dosis que se aproximan a 50 milisievert (5 rem) anuales en el centro del equipo. Para reducir al mínimo la exposición, se recomienda restringir el acceso a las zonas interiores de las paredes blindadas (Rooney y Leavey 1989).