La descripción del procesamiento de dispositivos semiconductores de silicio, ya sean dispositivos discretos (un semiconductor que contiene un solo dispositivo activo, como por ejemplo un transistor) o CI (conjuntos interconectados de elementos activos y pasivos en un sustrato semiconductor único, capaz de realizar una función de circuito electrónico como mínimo), implica mencionar numerosas operaciones muy técnicas y específicas,
y tiene por objeto dar a conocer un marco y una explicación básicos de los pasos principales seguidos en la fabricación de un dispositivo semiconductor de silicio y los problemas de salud y seguridad medioambiental (SSM) asociados.
La fabricación de un CI consta de una secuencia de procesos que pueden repetirse muchas veces antes de terminar un circuito. Los CI más sencillos utilizan 6 máscaras o más para completar procesos de modelado, pero lo corriente es que se empleen de 10 a 24 máscaras. La fabricación de un microcir- cuito comienza con una oblea de silicio ultrapuro de 10 a
30 centímetros de diámetro. El silicio absolutamente puro es casi un aislante, pero determinadas impurezas, llamadas impurifica- dores, añadidas en cantidades de 10 a 100 partes por millón, convierten al silicio en conductor de electricidad.
Un circuito integrado puede constar de millones de transis- tores (también diodos, resistencias y condensadores) hechos de silicio con impurezas, todos ellos conectados mediante el patrón de conductores adecuado para crear lógica del ordenador, su memoria u otro tipo de circuito. Sobre una oblea pueden hacerse centenares de microcircuitos.
Hay seis pasos principales del proceso de fabricación que se aplican de manera universal a todos los dispositivos semiconductores de silicio: oxidación, litografía, grabado, impurificación, deposición química de vapor y metalización. Estos pasos van seguidos de las operaciones de montaje, prueba, marcado, embalado y expedición.
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