Depósito no epitaxial de vapores de sustancias químicas (II)

Cada uno de estos materiales puede depositarse de diversas maneras, y cada uno tiene muchas aplicaciones.
En la Tabla 83.7 se recogen las tres categorías principales de CVD, utilizando la temperatura de trabajo como mecanismo de diferenciación.
En casi todos los equipos de CVD se encuentran los componentes siguientes:
• cámara de reacción;
• sección de control de gases;
• control de tiempo y secuencia;
• fuente de calor para sustratos;
• manipulación del efluente.

En esencia, el proceso de CVD comprende el suministro de canti- dades controladas de los gases fuente de silicio o nitruro, junto con gases portadores, como nitrógeno y/o hidrógeno, e impu- rezas gaseosas si se desea, para su reacción química en la cámara del reactor. Se aplica calor para suministrar la energía necesaria para la reacción química, y además se controlan las temperaturas superficiales del reactor y de las obleas. Una vez terminada la reacción, el gas fuente que no reaccionó más el gas portador se extraen por el sistema de manipulación de efluentes y se liberan en la atmósfera.
La pasivación es un tipo funcional de CVD. Consiste en el crecimiento de una capa protectora de óxido sobre la superficie de la oblea de silicio, y por lo general es el último paso de fabri- cación antes del procesamiento posterior a la fabricación. La capa proporciona estabilidad eléctrica al aislar la superficie del circuito integrado de las condiciones químicas y eléctricas del medio ambiente.