Difusión (III)

(p. ej., 50 a 60 hertz) propios de la sala limpia en fabricación de semiconductores. Se han conocido exposiciones medias supe- riores a 0,5 microteslas (5 miligauss) durante el funcionamiento real de los hornos (Crawford y cols. 1993). Este estudio también puso de relieve que en el personal de sala limpia que trabajaba en la proximidad de hornos de difusión se determinaron exposi- ciones medias cuyos valores superaban con claridad a las de otros trabajadores de sala limpia. Este resultado fue coherente con las mediciones puntuales comunicadas por Rosenthal y Abdollahzadeh (1991), quienes observaron que en la proximidad de los hornos de difusión (a 5 cm de distancia) se obtenían lecturas de hasta 10 a 15 microteslas, mientras que los campos circundantes caían con la distancia menos que los estudiados cerca de otros equipos de sala limpia; incluso a 1,80 metros de distancia de los hornos de difusión, las densidades de flujo medidas fueron de 1,2 a 2 microteslas (Crawford y cols. 1993). Estos niveles de emisión están bastante por debajo de los límites de exposición actuales de seguridad en el trabajo establecidos por la Organización Mundial de la Salud y de los fijados por países individuales.