El depósito de vapores de sustancias químicas (CVD) consiste en la formación de capas adicionales de material sobre la superficie de la oblea de silicio. Las unidades de CVD trabajan en general como un sistema cerrado, y por consiguiente la exposición de los trabajadores a agentes químicos es pequeña o nula. No obstante, puede originarse una breve exposición a cloruro de hidrógeno, superior a 5 ppm, cuando se limpian determinados depuradores previos de CVD (Baldwin y Stewart 1989). En los procesos actuales se suelen emplear dos categorías amplias de deposición—la CVD epitaxial y el tipo más general de CVD no epitaxial.
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