El proceso de depósito por pulverización

El proceso de depósito por pulverización tiene lugar en una atmós- fera de gas a baja presión o en vacío parcial, con empleo de corriente eléctrica continua (DC, o pulverización catódica) o tensiones de RF como fuente de alta energía. En la pulveriza- ción, se introducen iones del gas inerte argón en una cámara de vacío después de haberse alcanzado un nivel de vacío satisfac- torio mediante el uso de una bomba preliminar. Al aplicar la alta tensión, que suele ser de 5.000 V, se forma un campo eléc- trico entre dos placas con cargas opuestas. Esta descarga de alta energía ioniza los átomos de gas argón y hace que se desplacen y aceleren hacia una de la placas de la cámara, llamada blanco. Cuando los iones de argón chocan con el blanco, hecho del material que se desea depositar, desalojan, o pulverizan, estos átomos o moléculas. Los átomos desalojados del material de metalización se depositan entonces, en forma de película delgada, sobre los sustratos de silicio que miran al blanco.
Se ha observado que la fuga de RF desde los costados y partes traseras de muchas unidades de pulverización antiguas superan el límite de exposición de los trabajadores (Baldwin y Stewart 1989). Casi toda la fuga era atribuible a grietas de los armarios causadas por el desmontaje repetido de los paneles de manteni- miento. En modelos más modernos del mismo fabricante, paneles con malla de alambre a lo largo de las juntas impiden fugas importantes. Los pulverizadores antiguos se pueden modi- ficar con malla de alambre o, como alternativa, puede emplearse cinta de cobre para cubrir las juntas a fin de reducir la fuga.