Metalización

Una vez fabricados los dispositivos en el sustrato de silicio, tienen que conectarse para ejecutar funciones de circuito. Este proceso se denomina metalización, y es un medio de alambrar o interco- nectar las capas superiores de los circuitos integrados mediante el depósito de patrones complejos de materiales conductores, que encaminan la energía eléctrica en el interior de los circuitos.
El amplio proceso de metalización se diferencia en función del tamaño y el espesor de la capas de metales y otros materiales que se depositan. Estos son:

• película delgada—película de espesor aproximado de una micra o menos;
• película gruesa—película de espesor aproximado de 10 micras o más;
• plaqueado—películas de espesor variable desde delgada hasta gruesa, pero en general películas gruesas.

Los metales más corrientes empleados para la metalización de semiconductores de silicio son: aluminio, níquel, cromo o una aleación llamada cromo-níquel, oro, germanio, cobre, plata, titanio, wolframio, platino y tántalo.
También pueden evaporarse o depositarse películas delgadas
o gruesas sobre diversos sustratos de cerámica o vidrio. Algunos ejemplos de estos sustratos son: alúmina (96 % Al203), berilia
(99 % BeO), vidrio de borosilicato, pirocerámica y cuarzo (SiO2).