Depósito no epitaxial de vapores de sustancias químicas (I)

Mientras que el crecimiento epitaxial es una forma muy especí- fica de CVD en la que la capa depositada tiene una estructura cristalina con la misma orientación que la capa de sustrato, la CVD no epitaxial consiste en la formación de un compuesto estable sobre un sustrato calentado mediante la reacción térmica
o la descomposición de compuestos gaseosos.
La CVD puede emplearse para depositar numerosos mate- riales, pero en el proceso de semiconductores de silicio los mate- riales que suelen encontrarse, además de silicio epitaxial, son:
• silicio policristalino (poli Si);
• dióxido de silicio (SiO2—con y sin impurezas; vidrio con impu- rezas p);
• nitruro de silicio (Si3N4).