Humos y partículas

Humos y partículas en suspensión en el aire procedentes de mate- rias primas (por ejemplo sílice, metales, polvos alcalinos) o de subproductos (como fluorhídrico, cristobalita y vapores de metales pesados).

Exposiciones a productos de la combustión

combustión tales como monóxido de carbono, óxidos de nitrógeno(NOx) y anhídrido sulfuroso.

Operaciones de cocción o de fusión

La fabricación de productos en estos sectores industriales implica operaciones de secado, fusión o cocción en estufas u hornos. En estos procesos el calor se genera por combustión de propano, gas natural (metano) o fuelóleo, fusión por arco eléctrico, microondas, secado dieléctrico, calentamiento con resistencias eléctricas o varias de estas técnicas. Los riesgos potenciales que presentan los procesos de cocción o fusión incluyen:

Riesgos físicos

• Riesgos físicos debidos al manejo y a la circulación de vagonetas o carretillas motorizadas, al trabajo a alturas elevadas, a la entrada en espacios reducidos y al contacto con fuentes de energía eléctrica, neumática o mecánica, como puntos de corte, piezas giratorias, engranajes, ejes, correas y poleas.

Riesgos ergonómicos

Riesgos ergonómicos asociados al levantamiento manual o a la manipulación de sacos de materias primas, a vibradores o a actividades de líneas de transmisión o mantenimiento del sistema.

Plaqueado

Para formar películas metálicas sobre sustratos semiconductores se utilizan dos tipos básicos de técnicas de plaqueado: galvanotecnia y plaqueado químico.

En la galvanotecnia, el sustrato a plaquear se coloca en el cátodo, o terminal con cargas negativas, de la cuba de plaqueado y se sumerge en una solución electrolítica. Un elec- trodo hecho del metal de recubrimiento actúa como ánodo, o terminal con cargas positivas. Cuando se hace pasar una corriente continua por la solución, los iones metálicos que se disuelven en la solución desde el ánodo, emigran con sus cargas positivas hasta depositarse sobre el cátodo (sustrato). Este método de plaqueado se usa para formar películas conductoras de oro o cobre.
En el plaqueado químico, se aplican la reducción y la oxidación simultáneas del metal que formará el plaqueado para depositar un átomo o molécula metálica libre. Como este método no exige conducción eléctrica durante el proceso de plaqueado, puede emplearse con sustratos de tipo aislante. Níquel, cobre y oro son los metales más corrientes que se depositan de esta manera.

Película gruesa

La estructura y la dimensión de la mayoría de las películas gruesas no son compatibles con la metalización de circuitos inte- grados de silicio, sobre todo por limitaciones de tamaño. Las pelí- culas gruesas se usan en su mayoría para la metalización de estructuras electrónicas híbridas, como en la fabricación de LCD. El proceso de serigrafía es el método predominante en la apli- cación de película gruesa. Los materiales que se suelen utilizar en película gruesa son paladio, plata, dióxido de titanio y vidrio, oro-platino y vidrio, oro-vidrio y plata-vidrio.
Las películas gruesas resistivas se depositan y modelan normalmente sobre un sustrato cerámico con ayuda de técnicas serigráficas. El cermet es una forma de película gruesa resistiva compuesta por una suspensión de partículas metálicas conduc- toras en una matriz cerámica con una resina orgánica como relleno. Las estructuras cermet típicas se componen de cromo, plata u óxido de plomo en una matriz de monóxido o dióxido de silicio.